氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元, , 件。由于其獨特的晶界結構,在一定電場下,晶界導電由熱電子發射傳導瞬間轉變為電子隧道傳導,其電阻值隨著電壓的增大而急劇減小,具有優異的非線性伏安特性。那么,當存在過電壓時,晶界電子隧道效應抑制過電壓峰值增長,吸收部分過電壓能量,從而起到對線路或設備的防護作用。但是,不論壓敏電阻器應用在電力線路或電子線路,若各種類型的過電壓頻繁出現,則壓敏電阻器就會頻繁動作以抑制過電壓幅值和吸收釋放浪涌能量,保護電氣設備及元器件,這勢必會導致壓敏電阻器的性能劣化乃至失效。
(1)劣化,表現為漏電流增大,壓敏電壓顯著下降,直至為零;
(2)炸裂,若過電壓引起的浪涌能量太大,超過了所選用的壓敏電阻器極限承受能力,則壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發生陶瓷炸裂現象;
(3)穿孔,若過電壓峰值特別高,導致壓敏電阻器陶瓷瞬間發生電幾穿,表現為穿孔。 其中,在進行分級防雷保護前提下,壓敏電阻器的失效模式絕大部分表現為劣化和穿孔(即短路),因此,在使用壓敏電阻器時,必須與之串聯一個合適的斷路器或保險絲,避免電路短路引起事故。 目前,國際上流行的過電壓保護器就是將壓敏電阻器與限流、過流和劣化告警裝置有機地組合在一起,它除了具有過電壓保護功能外,還具有防止自身劣化、導致電路短路的功能。
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1.半導體器件損壞的特點
三極管的損壞一般是PN結擊穿或開路,其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現:
一是熱穩定性變差,表現為開機時正常,工作一段時間后,發生軟擊穿;
另一種是PN結的特性變差。
2.半導體器件的檢測方法 用萬用表R×1k測,各PN結均正常,但上機后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程檔測,就會發現其PN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量,較準確的方法是:將萬用表置R×10或R×1檔(一般用R×10檔,不明顯時再用R×1檔)在路測二、三極管的PN 結正、反向電阻,如果正向電阻不太大(相對正常值),反向電阻足夠大(相對正向值),表明該PN結正常,反之就值得懷疑,需焊下后再測。這是因為一般電路的二、三極管外圍電阻大多在幾百、幾千歐以上,用萬用表低阻值檔在路測量,可以基本忽略外圍電阻對PN結電阻的影響。
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