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擊穿區：壓敏電阻器兩端施加一大于壓敏電壓的過電壓時，其導電屬于隧道擊穿電子電導機理(Rb與Rg相當)，其伏安特性呈優異的非線性電導特性，即：

通過壓敏電阻器的電流                   與配方和工藝有關的常數

I=CVα其中

壓敏電阻器兩端的電壓                  α為非線性系數，一般大于30

由上式可見，在擊穿區，壓敏電阻器端電壓的微小變化就可引起電流的急劇變化，壓敏電阻器正是用這一特性來抑制過電壓幅值和吸收或對地釋放過電壓引起的浪涌能量。

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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時，它兩端電壓的峰值。一般來說，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標準規定的8/20 μs標準雷電流波形。

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