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ZnO壓敏電阻已發明三十多年，世界范圍眾多科研工作者無論在配方的探討、優化還是微觀形成機理的檢測和分析領域都進行卓有成效的工作，摸索了一些適合工業化生產的配方和具體工藝路線。對配方的進行了細致的實驗摸索，旨在提高宏觀電性能如：通流能力、非線形系數、能量耐受能力和電壓梯度等等。如：氧化鋅壓敏電阻中加入少量稀土氧化物改善電壓梯度；研究Sb/Bi比例和氧分壓等等對性能影響。德國西門子公司研制的用溶液蒸發分解技術(EDS)制備多組分的ZnO壓敏電阻瓷料的新工藝。新興的納米材料學給許多交叉學科的發展提供了新的思路和方法，在納米制備科學中納米粉體的制備由于其顯著的應用前景發展得較快，國內外從事壓敏電阻研究的學者，為了獲得均勻的前驅粉體，將這種新技術引入氧化鋅壓敏電阻器制造工藝中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，國內廠家也進行了積極探索，主要集中在二個方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物摻雜、添加MgO、化學均相共沉以及溶鹽熱分解等。（2）制備工藝探索，攪拌球磨和壓濾機等。但相互協作研究相比而言較少，與科研機構合作也不是很多。

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ZnO壓敏電阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，雜質元素的添加是影響其壓敏性能的極其重要的因素。國內外研究人員進行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶體中雜質的進入或缺陷的存在，將破壞部分正常晶格的平移對稱性，產生以雜質離子或缺陷為中心的局域振動模式，從而形成新的能級，這些新的能級一般位于禁帶之內，具有積累非平衡載流子(電子或空穴)的作用，這就是所謂的陷阱效應，一般把具有顯著陷阱效應的雜質或缺陷能級稱為陷阱，相應的雜質或缺陷成為陷阱中心。電子陷阱是指一類具有相變特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)對電子形成的一種束縛或禁錮狀態。從晶體能帶理論來解釋,它是指由于各種原因使得晶粒中的導帶彎曲或不連續，從而在導帶中形成的勢阱；從晶體結構來看，電子陷阱是指某些晶格點或晶體具有結構缺陷，這種缺陷通常帶

有一定量的正電荷，因而能夠束縛自由電子，正如一般電子為原子所束縛的情況，電子陷阱束縛的電子也具有確定的能級。

ZnO作為一種寬禁帶的半導體材料,具有本征電導特征。這一本征施主特性使得ZnO粉料能與多種具有相變特征的受主元素在微觀結構中形成電子陷阱。被電子陷阱俘獲的電子在外界電、磁、光、熱等物理量作用下，可脫離陷阱束縛，產生各種豐富的物理效應，在電場下的V-I非線性就是壓敏性能的表現。

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