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掃描電子顯微鏡（簡稱掃描電鏡，SEM）是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同，掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子（被入射電子轟擊出來的樣品核外電子）、背散射電子（被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子）或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號?，F以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子，以其交叉斑作為電子源，經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成

具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用，產生二次電子發射（以及其他物理信號），二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號，經視頻放大后輸入到顯像管柵極，調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二次電子像。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像?。冢睿稀∥⒔Y構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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