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掃描電子顯微鏡(簡稱掃描電鏡,SEM)是繼透射電鏡之后發展起來的一種電鏡。與透射電鏡的成像方式不同,掃描電鏡是用聚焦電子束在樣品表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒,成像信號可以是二次電子(被入射電子轟擊出來的樣品核外電子)、背散射電子(被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子)或吸收電子。其中二次電子為主要的成像信號?,F以二次電子像的成像過程來說明掃描電鏡的工作原理。由電子槍發射的能量為5-35KeV的電子,以其交叉斑作為電子源,經二級聚光鏡及物鏡的縮小形成
具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束,在掃描線圈驅動下,于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用,產生二次電子發射(以及其他物理信號),二次電子發射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號被探測器收集轉換成電訊號,經視頻放大后輸入到顯像管柵極,調制與入射電子束同步掃描的顯像管亮度,得到反映試樣表面形貌的二次電子像。
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介電特性:
壓敏電阻器類似一邊界層電容器,視在介電常數很高。介電常數和介電損耗與頻率,溫度和所加的電壓有關,在30-106°C的溫度范圍內,介電常數隨溫度升高而增大;介電常數隨頻率升高而下降;電容在低電場區域隨所加電壓的增加而降低,進入中電場區域隨電壓增大而急劇上升。
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