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ZnO晶相位于晶粒體內,為低電阻率的半導體,對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜,有大量的導電電子存在,為n型半導體。富鉍相,約在750℃形成12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,溫度低于850℃參與形成焦綠石相,超過850℃后從焦綠石相中分離出來,生成含
Cr的富鉍相,含有尖晶石相和Zn,隨著溫度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。
Cr有穩定尖晶石相的作用,高溫冷卻時,可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成,850℃時達到峰值,約950℃時消失,
反應式如下
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3
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殘壓比KR
通過壓敏電阻器的電流為某一值時,在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為:
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應出壓敏電阻限制過電壓的能力,在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應用,在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數。
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zno壓敏電阻是半導體電子陶瓷器件,主要功能是 識別和限制瞬態過電壓,反復使用而不損壞。它的電流 (I)—電壓(U)特性是非線性的,與穩壓二極管相似。 但與二極管不同,壓敏電阻能限制的過電壓在兩個極性上 相等,于是呈現的 I-U 特性很象兩個背對背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場,電壓范圍從幾伏到幾千 伏,電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性,范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導體工業和電力工業都有應用。 ZnO 壓敏電阻是用半導體 ZnO 粉末和其它氧化物粉末 如:Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Si 等經過混合、壓型和燒 結工藝而制成。得到的產品是具有晶界特性的多晶陶瓷, 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性?。桑铡√匦?。 ZnO 壓敏電阻的基本特性包括電學特性、物理特性和 化學特性。微觀結構是體現這些性質的媒介,是 ZnO 壓敏 電阻的基礎。
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